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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及其制造方法、電子裝置。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)技術(shù)是近年來(lái)高速發(fā)展的一項(xiàng)高新技術(shù)，它采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，實(shí)現(xiàn)傳感器、驅(qū)動(dòng)器等器件的批量制造。與對(duì)應(yīng)的傳統(tǒng)器件相比，mems器...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems壓力傳感器及其制備方法、電子裝置。、mems壓力傳感器是在mems工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的前沿研究領(lǐng)域，其適用于高沖擊、高過(guò)載、導(dǎo)電、腐蝕、輻射等惡劣環(huán)境，并廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、工業(yè)、醫(yī)療衛(wèi)生與環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。其中，電容式壓力傳感器是mems壓力...

本發(fā)明涉及mems器件結(jié)構(gòu)支撐，尤其涉及集成加熱電阻及導(dǎo)線的懸臂梁的加工方法。、目前，部分半導(dǎo)體物理器件需要依靠低導(dǎo)熱系數(shù)的懸臂支撐來(lái)降低熱量傳導(dǎo)損失從而降低器件的整體功耗，懸臂使用材料主要為可進(jìn)行圖形設(shè)計(jì)的光敏型聚酰亞胺光刻膠經(jīng)高溫固化形成，在聚酰亞胺薄膜上設(shè)計(jì)電路圖形時(shí)，由于聚酰亞胺材...

本發(fā)明涉及一種微電子機(jī)械傳感器和一種用于制造微電子機(jī)械傳感器的方法。、從現(xiàn)有技術(shù)已知微電子機(jī)械傳感器和用于制造微電子機(jī)械傳感器的方法。、de?????a公開(kāi)了一種用于制造微電子機(jī)械的慣性傳感器的方法。、狀態(tài)參量(例如壓力)的測(cè)量可以借助于微電子機(jī)械傳感器執(zhí)行。這些傳感器提供下述優(yōu)點(diǎn)：它們對(duì)...

本發(fā)明涉及片上微系統(tǒng)真空封裝，尤其涉及一種片上微系統(tǒng)的真空封裝設(shè)備和方法、真空封裝的片上微系統(tǒng)。、片上微系統(tǒng)(system?on?chip)的類型包括微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system,mems)(如mems陀螺儀、mems加速度計(jì)等)、微型熱輻射成...

本發(fā)明涉及pcr生物技術(shù)，尤其涉及用于dpcr反應(yīng)的微液滴陣列芯片的制備方法及微液滴陣列芯片。、當(dāng)前的數(shù)字聚合酶鏈反應(yīng)(digital?polymerase?chain?reaction，dpcr)依賴于將水相反應(yīng)溶液微分化為多個(gè)獨(dú)立反應(yīng)單元分布在油相中以形成微液滴陣列的技術(shù)，目前主要有基...

本發(fā)明涉及mems工藝的，具體地，涉及一種用于微型硅基mems器件的高潔凈固定和分離方法。、微納米技術(shù)的發(fā)展中mems一直是一個(gè)重要的應(yīng)用方向，mems技術(shù)工藝復(fù)雜，異結(jié)構(gòu)器件種類繁多，對(duì)于在硅基襯底上制備的各種器件樣品，如何將其固定、分離亦是一個(gè)難題。、當(dāng)前針對(duì)此類器件多采用金剛石砂輪、...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種mems刻蝕深孔內(nèi)金屬圖形化的方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)是指特征尺寸在nm～mm之間，集微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、信號(hào)處理電路、信號(hào)控制電路以及微型執(zhí)行器于一體的微型器件或系統(tǒng)。隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)增大存儲(chǔ)能力且縮小封裝外形要求的提高，mems工藝中的...

本發(fā)明涉及一種mems設(shè)備，所述mems設(shè)備具有襯底、膜片、空腔和加熱元件，所述空腔布置在所述襯底與所述膜片的至少一部分之間，所述加熱元件位于所述空腔中。、mems設(shè)備是微機(jī)電設(shè)備，如例如在mems傳感器裝置中所使用的那樣。這種類型的設(shè)備例如由wo?/?a已知。mems傳感器裝置具有能夠變...

本發(fā)明屬于mems(micro-electro-mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng))，具體涉及一種基于熱交叉的多溫度區(qū)微熱板及制造方法。、在氣體檢測(cè)領(lǐng)域，金屬氧化物半導(dǎo)體(metal?oxide?semiconductor，mox)氣體傳感器憑借優(yōu)異的物理和化學(xué)特性成為實(shí)用型...

本技術(shù)涉及芯片封裝，特別涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)。、mems是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。、壓電mems加速度計(jì)是基于壓電效應(yīng)，結(jié)合半導(dǎo)體工藝制備得到的一種加速度計(jì)器件，其核心技術(shù)為多懸臂梁-質(zhì)量塊架構(gòu)。當(dāng)給器件施加加速度的時(shí)候，...

本發(fā)明涉及一種用于在單晶硅半導(dǎo)體基底中形成的空腔中無(wú)支撐地布置的硅結(jié)構(gòu)的應(yīng)力補(bǔ)償?shù)姆椒?、一種半導(dǎo)體元件和一種傳感器。、公開(kāi)文獻(xiàn)de?????a公開(kāi)了一種帶有挖槽形成的空穴的傳感器元件。、公開(kāi)文獻(xiàn)de?????a公開(kāi)了一種用于在半導(dǎo)體基底中產(chǎn)生掩埋的空腔的方法。、專利文獻(xiàn)us，，b公開(kāi)了一種...

本公開(kāi)涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)(mems)設(shè)備的封裝，并且更具體地涉及一種增加產(chǎn)品產(chǎn)率的大管芯尺寸的mems設(shè)備的封裝。、壓電微機(jī)械超聲換能器(pmut)是響應(yīng)于與薄壓電膜耦接的薄膜的撓曲運(yùn)動(dòng)而不是如在體壓電超聲換能器內(nèi)的壓電陶瓷板的厚度模式運(yùn)動(dòng)而操作的mems設(shè)備。應(yīng)當(dāng)注意，pmut是一類微機(jī)...

本發(fā)明涉及一種用于傳感器裝置、麥克風(fēng)裝置和/或微型揚(yáng)聲器裝置的微機(jī)械構(gòu)件。同樣地，本發(fā)明涉及一種用于傳感器裝置、麥克風(fēng)裝置和/或微型揚(yáng)聲器裝置的微機(jī)械構(gòu)件的制造方法。、從de?????a已知一種用于傳感器裝置的微機(jī)械構(gòu)件，該微機(jī)械構(gòu)件具有至少一個(gè)定子電極、至少一個(gè)致動(dòng)器電極和跨過(guò)電極的膜，...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件的工藝方法。、mems(micro?electro?mechanical?system，微電子機(jī)械系統(tǒng))工藝在半導(dǎo)體器件的制作中應(yīng)用比較廣泛。在制造具有懸空結(jié)構(gòu)的mems器件時(shí)，一般會(huì)采用熱氧化工藝或淀積工藝，在硅襯底上形成二氧化硅層。接著在二...

本發(fā)明涉及一種通過(guò)降低空氣和表面損耗提高硅微諧振器品質(zhì)因子的方法，屬于微機(jī)電器件傳感器。、微機(jī)械諧振器是基于微納米技術(shù)制造的諧振結(jié)構(gòu)，通常由半導(dǎo)體、金屬或復(fù)合材料構(gòu)成，具有高靈敏度、高品質(zhì)因子、高諧振頻率、低功耗和小尺寸等特點(diǎn)，已成為眾多微/納機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechan...

本技術(shù)涉及封裝結(jié)構(gòu)，具體為一種便于拆修的mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems，micro-electro-mechanical?system)技術(shù)的問(wèn)世和應(yīng)用讓麥克風(fēng)變得越來(lái)越小，性能越來(lái)越高。mems麥克風(fēng)具有諸多優(yōu)點(diǎn)，例如，高信噪比，低功耗，高靈敏度，所用微型封裝兼容貼裝工藝，...

本技術(shù)涉及mems產(chǎn)品，具體為一種mems產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)。、微機(jī)電系統(tǒng)簡(jiǎn)稱mems，是集微型機(jī)械、微傳感器、微執(zhí)行器、信號(hào)處理、智能控制于一體的一項(xiàng)新興的科學(xué)領(lǐng)域。它將常規(guī)集成電路工藝和微機(jī)械加工獨(dú)有的特殊工藝相結(jié)合，涉及微電子學(xué)、機(jī)械設(shè)計(jì)、自動(dòng)控制、材料學(xué)、光學(xué)、力學(xué)、生物學(xué)、聲學(xué)、和電磁...

本發(fā)明屬于mems傳感器和cmos芯片制造領(lǐng)域，具體涉及一種單片集成cmos電路的壓阻芯片的制造方法。、mems(micro?electro?mechanical?system)即微電子機(jī)械系統(tǒng)，是新興的跨學(xué)科的高新技術(shù)研究領(lǐng)域，能夠?qū)崿F(xiàn)力、電、光、磁、聲等信號(hào)的感應(yīng)、處理及執(zhí)行，已經(jīng)在工...

本公開(kāi)總體上涉及電子裝置，并且更具體地涉及半導(dǎo)體裝置和用于制造半導(dǎo)體裝置的方法。、現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝和用于形成半導(dǎo)體封裝的方法存在不足之處，例如，造成成本過(guò)多、可靠性降低、性能相對(duì)較低或封裝尺寸太大。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，通過(guò)將常規(guī)和傳統(tǒng)方法與本公開(kāi)進(jìn)行比較并且參照附圖，此類方法的另外的局...